Gezielte Beimischung von Fremdatomen in einem Halbleitermaterial in sehr geringer Konzentration.

Man unterscheidet Spenderatome, die freie Elektronen einbringen und Akzeptoratome, die den Halbleiteratomen Elektronen entziehen und ‚Löcher’ verursachen.

Ziel der Dotierung ist das Ändern der Leitfähigkeit, die Amorphisierung der Kristallstruktur (z.B. zur Vermeidung von Channelingeffekten), die Schaffung einer Diffusionsbarriere oder die Veränderung der Oberfläche in Bezug auf nachfolgende chemische Reaktionen.

Es gibt für die Dotierung verschiedene Verfahren, z.B. Sublimation aus der Gasphase oder Ionenimplantation. Typische Dotanten für Silizium-Schichten sind Bor, Phosphor, Arsen, Argon und neuerdings auch Kohlenstoff.