Diode, deren Sperrstrom bei Lichteinfall durch den Fotoeffekt zunimmt. In der Praxis eine PN-Grenzschicht, die eine Leerlauf-Fotospannung von bis zu 0,5 V und einen Fotostrom von etwa 0,1µA/lx aufweist. Der Einfall eines ausreichend energiereichen Photons in eine PN-Struktur erzeugt ein Elektron-Loch-Paar. Bei einer angelegten Spannung führt das elektrische Feld zur Migration der Ladungsträger, dem Fotostrom.

Die Grenzfrequenz liegt um 10MHz, bei PIN-Strukturen bis etwa 1GHz. Bei Silizium liegt der spektrale Bereich zwischen 600nm und 1µm, bei Germanium zwischen 500nm und 1,7µm.