Schnelle Fotodiode mit der Schichtfolge Positiv-Intrinsisch-Negativ (PIN). Die p- und n-leitenden Zonen werden bei dieser Struktur von einer sehr schwach dotierten (intrinsischen) Halbleiterschicht getrennt. Diese weist durch die geringe Konzentration an freien Ladungsträgern einen hohen Widerstand und durch die breite Raumladungszone eine geringe Kapazität auf.

Bei Einfall eines ausreichend energiereichen Photons wird ein Elektron-Loch-Paar erzeugt. Bei einer angelegten Spannung erzeugt das elektrische Feld eine Ladungsträgerwanderung, den Fotostrom.